Forming mechanism of the bipolar resistance switching in double-layer memristive nanodevices.

Lee, S B; Yoo, H K; Kim, K; Lee, J S; Kim, Y S; Sinn, S; Lee, D; Kang, B S; Kahng, B; Noh, T W.
Nanotechnology; 23(31): 315202, 2012 Aug 10.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-22802159

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